Diode laser à silicium
1044482
28203976
2008-04-03T12:16:02Z
Badmood
4507
nouveau style de bandeau de portail, voir [[Wikipédia:Prise de décision/Bandeaux de portail]]
{{ébauche|électronique}}
Une '''Diode laser à silicium''' est une [[diode laser]] de taille micrométrique dont le guide d'onde est découpé dans le silicium.
==Historique==
Ce type de diodes laser a été développé pour la première fois par [[Intel]] en [[2006]].
==Fonctionnement==
La génération du rayonnement se fait dans une diode en phosphure d'indium. La lumière ainsi générée est rendue cohérente dans un guide d'onde en silicium d'une dizaine de µm de largeur gràce à la [[diffusion Raman]].
==Fabrication==
Les [[Procédés de fabrication des dispositifs à semiconducteurs|procédés de fabrication classiques de circuits intégrés]] sont utilisés pour le guide d'onde. La fixation du [[phosphure d'indium]] au [[silicium]] se fait par adhérence : un plasma froid d'oxygène est appliqué sur les 2 parties, créant une couche de 25 atomes d'oxygène, qui va maintenir le silicium et le phosphure d'indium ensemble.
==Applications==
Aucune application n'est connue à ce jour. La miniaturisation et l'utilisation de procédés de fabrication standard font espérer une utilisation généralisée pour la transmission et le calcul numériques ([[Processeur optique]] ODSP). Néanmoins cette technologie n'est pas industrialisée à ce jour et reste au stade de prototype.
==Voir aussi==
*[[Diode laser à cavité verticale émettant par la surface]] (VCSEL)
==Liens externes==
*[http://solutions.journaldunet.com/0502/050221_intel_laser_silicium.shtml Article sur JDN solutions]
*[http://www.futura-sciences.com/news-innovation-intel-met-laser-puce_9627.php Article Futura Sciences]
{{Portail|physique|électricité et électronique}}
[[Catégorie:Diode]]
[[Catégorie:Laser]]