Gravure (micro-fabrication)
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2008-07-24T19:32:00Z
Rhadamante
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{{ébauche|microélectronique}}
La '''gravure''' (aussi appelée couramment par son nom anglophone, ''etching'') utilisée en micro-fabrication, est l'action de retirer chimiquement une ou plusieurs couches de matériaux à la surface d'un [[wafer]]. La gravure est une étape critique, extrêmement importante, lors de la fabrication d'éléments de [[micro-électronique]], chaque wafer subissant de nombreuses étapes de gravure.
Pour chaque étape de gravure, une partie du wafer est protégé de l'agent gravant, par un substance "masquante" qui résiste à la gravure. La plupart d'une temps il s'agit d'une résine photo-résistante ("[[Photorésist]]" de l'anglais ''photoresist'', appelée aussi plus rarement ''photorésine'') qui a été déposé en utilisant des techniques de [[photolithographie]]. Dans d'autre cas, il peut s'agir d'un masque plus résistant et durable, comme du nitrure de silicium.
Plusieurs types de gravure se distinguent:
* La gravure dite "humide" (''wet etching''), on l'on plonge le substrat dans un liquide (généralement un [[acide]] — [[acide fluorhydrique]] pour un substrat en [[silicium]] par exemple) qui réagit chimiquement avec celui-ci. On parle donc aussi de gravure ''chimique'' puisque la gravure se fait par réaction chimique.
* la [[gravure sèche]], regroupant plusieur techniques:
** une gravure dite ''physique'', où le substrat est gravé par un [[plasma]] (voir [[gravure au plasma]] et [[pulvérisation cathodique]]) qui ne réagit pas chimiquement avec le substrat ([[argon]], [[oxygène]], ...).
** la [[gravure ionique réactive]] (ou ''gravure par ions réactifs'', principalement dénommé par son acronyme anglais ''RIE'' pour Reactive ion etching) ou le substrat est gravé par un plasma chimiquement actif (dérivés de fluor -[[Hexafluorure de soufre|SF<sub>6</sub>]] -de chlore - [[Dichlore|Cl<sub>2</sub>]], [[Trichlorure de bore|BCl<sub>3</sub>]]...). Le substrat est alors à la fois gravé physiquement par le plasma, mais aussi chimiquement par les ions et radicaux crées par l'ionisation des composés transformés en plasma.
[[Catégorie:Micro-électronique]]
[[en:Etching (microfabrication)]]
[[fi:Etsaus (valmistustekniikka)]]