Gravure ionique réactive profonde
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2008-04-29T15:26:00Z
Daniel*D
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{{Ébauche|microélectronique}}
La '''gravure ionique réactive profonde''' (en anglais : ''deep reactive ion etching'' ou DRIE) est un procédé de gravure fortement [[anisotropie|anisotropes]] utilisé en [[micro-électronique]]. Il sert à créer des trous et des tranchées profondes dans des [[wafer]]s, avec un [[rapport largeur/hauteur]] de 20:1 ou plus. Cette technique a été développée pour les [[Microsystème électromécanique|microsystèmes électromécaniques]] (MEMS), qui nécessitent ce type de fonctionnalités, mais est aussi utilisée pour creuser des tranchées pour les condensateurs à haute densité de la [[Dynamic Random Access Memory|DRAM]].
Il existe deux principales techniques de DRIE à haut taux : cryogénique et Bosch. Les deux procédés permettent de fabriquer des murs parfaitement verticaux (à 90°), mais souvent les murs sont légèrement évasés, par exemple, à 88° ou 92°. On parle alors de parois « rétrograde ». Il existe un autre mécanisme appelé passivation des parois : des [[Groupe fonctionnel|groupes fonctionnels]] SiO<sub>x</sub>F<sub>y</sub> (produit à partir d'hexafluorure de soufre et d'oxygène gazeux) condensent sur les parois latérales et les protègent de la gravure. En combinant tous ces procédés, on peut alors réaliser des structures verticales profondes.
[[Catégorie:Micro-électronique]]
[[de:Deep Reactive Ion Etching]]
[[en:Deep reactive-ion etching]]
[[ja:深堀りRIE]]