Magnétorésistance
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2008-06-15T15:12:15Z
DumZiBoT
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robot Modifie: [[ja:磁気抵抗効果]]
{{ébauche|physique}}
La '''magnétorésistance''' est la propriété qu'ont certain matériaux de présenter une [[Résistance des matériaux|résistance]] qui évolue lorsqu'ils sont soumis à un [[champ magnétique]]. Cet effet a été découvert par [[William Thomson]] en [[1857]]. Il fut cependant incapable de diminuer la [[Résistance (électricité)|résistance]] électrique de plus de 5%.
De récentes recherches sur les matériaux ont permis de découvrir la [[magnétorésistance géante]], la [[magnétorésistance colossale|magnétorésistance « ''colossale'' »]] et la [[magnétorésistance à effet tunnel]].
==Magnétorésistance anisotropique==
La magnétorésistance anisotrope est la propriété de certains matériaux à présenter une résistance électrique dépendant de l'angle formé entre le flux de courant et l'orientation d'un champ magnétique.
On l'attribue à une probabilité plus importante de diffusion électronique s-d dans la direction du champ magnétique. On oberve ainsi une résistance maximale lorsque la direction du courant est parallèle au champ magnétique.
Dans un [[semiconducteur]], on peut observer une magnétorésistance proportionnelle à (1+ (''μB'')²), où μ est la mobilité électronique (en m<sup>2·</sup>V<sup>-1</sup>·s<sup>-1</sup> ou T<sup> -1</sup>) et ''B'' le champ magnétique (en [[tesla]]s). L'antimonide d'indium, semiconducteur à haute mobilité, pourrait présenter une mobilité au dessus de 4 m²·V<sup>-1</sup>·s<sup>-1</sup> à 300 K. Ainsi, dans un champ de 0.25 T, on observerait une augmentation de magnétorésistance de 100%.
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[[Catégorie:Magnétorésistance|*]]
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